maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 4N35S1(TB)-V
Référence fabricant | 4N35S1(TB)-V |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-4N35S1(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N35S1(TB)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 100% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 10µs, 9µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 300mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N35S1(TB)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N35S1(TB)-V-FT |
EL817(S1)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817S(A)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817S(B)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817S(C)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817S(D)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
XCV100-4TQ144I
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZUCG81
Microsemi Corporation
A42MX24-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C1N
Intel
10M40DCF672C8G
Intel
EP4SGX530KF43I3
Intel
5SGXEA5K2F35I3L
Intel
LFXP3E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2SGE2
Intel