maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 4N35-W60E
Référence fabricant | 4N35-W60E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-4N35-W60E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N35-W60E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 3550Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 100% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 3µs, 3µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 30V |
Courant - Sortie / Canal | 100mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 300mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N35-W60E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N35-W60E-FT |
FODM2705
ON Semiconductor
FODM121A
ON Semiconductor
FODM121C
ON Semiconductor
FODM121CR2V
ON Semiconductor
FODM121R2
ON Semiconductor
FODM121R2V
ON Semiconductor
FODM2701R2
ON Semiconductor
FODM124R2V
ON Semiconductor
FODM2705R2
ON Semiconductor
FODM121
ON Semiconductor
M7AFS600-FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C2L
Intel
EP3SE260H780C2N
Intel
EP4CE6E22C9LN
Intel
5SGXEBBR1H43C2N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC2VP20-5FF1152I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-5MN132I
Lattice Semiconductor Corporation