maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / FODM121R2
Référence fabricant | FODM121R2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FODM121R2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FODM121R2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 3750Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 50% @ 5mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 600% @ 5mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 3µs, 3µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | 80mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.3V (Max) |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 50mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FODM121R2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FODM121R2-FT |
HCPL2731M
ON Semiconductor
HCPL4502
ON Semiconductor
HCPL4502V
ON Semiconductor
FOD8523SD
ON Semiconductor
FOD8523S
ON Semiconductor
FOD852SD
ON Semiconductor
H11A8173SD
ON Semiconductor
H11A817A3SD
ON Semiconductor
H11A817ASD
ON Semiconductor
H11A817B3SD
ON Semiconductor
LCMXO640E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
EP4CGX150CF23C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C2LN
Intel
XC5VLX85T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA7H4F35I3G
Intel
EP20K200RC208-1V
Intel
EP1SGX40GF1020I6
Intel