maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 4N26S1(TB)-V
Référence fabricant | 4N26S1(TB)-V |
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Numéro de pièce future | FT-4N26S1(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N26S1(TB)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 20% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 3µs, 3µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 500mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N26S1(TB)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N26S1(TB)-V-FT |
EL817(S)(A)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(A)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(A)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TA)
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EL817(S)(B)(TA)-G
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EL817(S)(B)(TA)-VG
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EL817(S)(B)(TB)
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EL817(S)(B)(TB)-G
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EL817(S)(B)(TB)-V
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EL817(S)(B)(TB)-VG
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XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
XC7A12T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
M2GL060TS-FCSG325
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A3PN010-2QNG48I
Microsemi Corporation
EP4CE15M9C7N
Intel
5SGXMA5N2F45I2N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
5SGXMA5K2F35C1N
Intel
AGL125V2-FGG144T
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A42MX16-PQG100M
Microsemi Corporation