Référence fabricant | 3SM8 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-3SM8 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
3SM8 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | 92pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3SM8 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 3SM8-FT |
SBR20A45D1-13
Diodes Incorporated
SBR2M60S1FQ-7
Diodes Incorporated
SBR2U60S1FQ-7
Diodes Incorporated
SBRT10U60D1Q-13
Diodes Incorporated
SDM1U100S1F-7
Diodes Incorporated
SDM2100S1F-7
Diodes Incorporated
SDM2A40CSP-7B
Diodes Incorporated
SDT10100P5-13
Diodes Incorporated
SDT10100P5-13D
Diodes Incorporated
SDT10100P5-7
Diodes Incorporated
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel