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Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ610(TE16L1,NQ)

Numéro de pièce MFG
2SJ610(TE16L1,NQ)
quantité disponible
15290 Pièces
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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2SJ610(TE16L1,NQ) Caractéristiques

Référence fabricant 2SJ610(TE16L1,NQ)
Numéro de pièce future FT-2SJ610(TE16L1,NQ)
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
2SJ610(TE16L1,NQ) Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.55 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 381pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 20W (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PW-MOLD
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SJ610(TE16L1,NQ) Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 2SJ610(TE16L1,NQ)-FT

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