maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2SC5706-P-E
Référence fabricant | 2SC5706-P-E |
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Numéro de pièce future | FT-2SC5706-P-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SC5706-P-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 5A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 100mA, 2A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 800mW |
Fréquence - Transition | 400MHz |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Package d'appareils du fournisseur | TP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5706-P-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SC5706-P-E-FT |
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