maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / NJW44H11G
Référence fabricant | NJW44H11G |
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Numéro de pièce future | FT-NJW44H11G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NJW44H11G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 10A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 4A, 2V |
Puissance - Max | 120W |
Fréquence - Transition | 85MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3P-3L |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJW44H11G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NJW44H11G-FT |
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XC7A35T-1FTG256I
Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
EP3C5U256C6N
Intel
EP1K30FC256-1N
Intel
10M50DCF672C7G
Intel
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29I1SG
Intel
EP4SGX70HF35C4N
Intel