maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / 2SC5415AE-TD-E
Référence fabricant | 2SC5415AE-TD-E |
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Numéro de pièce future | FT-2SC5415AE-TD-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SC5415AE-TD-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 6.7GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gain | 9dB |
Puissance - Max | 800mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 30mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Package d'appareils du fournisseur | PCP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5415AE-TD-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SC5415AE-TD-E-FT |
MRF5812G
Microsemi Corporation
MRF5812GR1
Microsemi Corporation
MRF5812GR2
Microsemi Corporation
MRF5812R1
Microsemi Corporation
MRF8372
Microsemi Corporation
MRF8372G
Microsemi Corporation
MRF8372GR1
Microsemi Corporation
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
XCKU035-2FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL025-VFG256I
Microsemi Corporation
AT40K40LV-3EQC
Microchip Technology
5SGXEB6R3F40C2
Intel
EP3SL340F1760I3N
Intel
XC4028XL-3BG256I
Xilinx Inc.
M1AGL250V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K200SRC240-3B
Intel
EP20K300ERC240-2X
Intel