maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / 2SC5347AE-TD-E
Référence fabricant | 2SC5347AE-TD-E |
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Numéro de pièce future | FT-2SC5347AE-TD-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SC5347AE-TD-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 4.7GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 1GHz |
Gain | 8dB |
Puissance - Max | 1.3W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 50mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Package d'appareils du fournisseur | PCP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5347AE-TD-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SC5347AE-TD-E-FT |
HFA3128BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102B96
Renesas Electronics America Inc.
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
AFS1500-2FGG484I
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
10AX027E2F29E2LG
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XC5VLX110-3FF1153C
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XC7VX485T-1FF1927I
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XC7S6-2CPGA196C
Xilinx Inc.
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