maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / 2PS13512E43W39689NOSA1
Référence fabricant | 2PS13512E43W39689NOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-2PS13512E43W39689NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2PS13512E43W39689NOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | - |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 55°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2PS13512E43W39689NOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2PS13512E43W39689NOSA1-FT |
CM75TU-34KA
Powerex Inc.
F3L300R12PT4PB26BOSA1
Infineon Technologies
F3L400R12PT4PB26BOSA1
Infineon Technologies
FD600R06ME3S2BOSA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4PBPSA1
Infineon Technologies
DF80R12W2H3_B11
Infineon Technologies
FD-DF80R12W1H3_B52
Infineon Technologies
FD1600/1200R17KF6C_B2
Infineon Technologies
FD200R12PT4B6BOSA1
Infineon Technologies
FD600R06ME3_B11_S2
Infineon Technologies
XCV300E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C25U256C6
Intel
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
5SGXEA7K2F35I2L
Intel
AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF19C6N
Intel