maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / 2N7002K-T1-GE3
Référence fabricant | 2N7002K-T1-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2N7002K-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
2N7002K-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 300mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 350mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002K-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N7002K-T1-GE3-FT |
FDG330P
ON Semiconductor
FDG361N
ON Semiconductor
PMG370XN,115
NXP USA Inc.
PMG45UN,115
NXP USA Inc.
SI1400DL-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1400DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1401EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1402DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1402DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1403CDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel