maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / 2N7002DW-TP
Référence fabricant | 2N7002DW-TP |
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Numéro de pièce future | FT-2N7002DW-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N7002DW-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 115mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 50mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Puissance - Max | 200mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002DW-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N7002DW-TP-FT |
EFC6601R-A-TR
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EFC6602R-A-TR
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