maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / 2N6766T1
Référence fabricant | 2N6766T1 |
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Numéro de pièce future | FT-2N6766T1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N6766T1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-254AA |
Paquet / caisse | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6766T1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N6766T1-FT |
STP78NF55-08
STMicroelectronics
STP80NF55
STMicroelectronics
UPA2600T1R-E2-AX
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UPA2822T1L-E1-AT
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ZVN4424GQTA
Diodes Incorporated
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel