maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N5306
Référence fabricant | 2N5306 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-2N5306 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N5306 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 300mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 200µA, 200mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 7000 @ 2mA, 5V |
Puissance - Max | 625mW |
Fréquence - Transition | 60MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5306 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N5306-FT |
DRDN010W-7
Diodes Incorporated
DSL12AW-7
Diodes Incorporated
DSS5240Y-7
Diodes Incorporated
DSS9110Y-7
Diodes Incorporated
DVR1V8W-7
Diodes Incorporated
DVR2V5W-7
Diodes Incorporated
DVR3V3W-7
Diodes Incorporated
DVR5V0W-7
Diodes Incorporated
SDBN500B01-7
Diodes Incorporated
ZXTN26070CV-7
Diodes Incorporated
LCMXO640C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S100E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN060-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7H3F35C2
Intel
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3LG
Intel
5CGXBC9E6F35C7N
Intel