maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / DVR1V8W-7
Référence fabricant | DVR1V8W-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DVR1V8W-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DVR1V8W-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN + Zener Diode (Isolated) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 18V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 30mA, 300mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 1V |
Puissance - Max | 200mW |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DVR1V8W-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DVR1V8W-7-FT |
AC847BWQ-13
Diodes Incorporated
BC858CW-7-F
Diodes Incorporated
MMST3904Q-7-F
Diodes Incorporated
BC858AW-7-F
Diodes Incorporated
BC858BW-7-F
Diodes Incorporated
MMST4126-7-F
Diodes Incorporated
ZUMT618TA
Diodes Incorporated
MMST5551-7-F
Diodes Incorporated
AC847BWQ-7
Diodes Incorporated
MMST2907AQ-7
Diodes Incorporated
EP1C3T144A8N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048H2F34E2LG
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
XC4VLX160-11FF1148I
Xilinx Inc.
AX500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C6N
Intel