maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / 2N3906,116
Référence fabricant | 2N3906,116 |
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Numéro de pièce future | FT-2N3906,116 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N3906,116 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 50nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Puissance - Max | 500mW |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3906,116 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N3906,116-FT |
KSC2383YTA
ON Semiconductor
ZTX1048A
Diodes Incorporated
ZTX651STZ
Diodes Incorporated
ZTX849STZ
Diodes Incorporated
ZTX651
Diodes Incorporated
ZTX601
Diodes Incorporated
ZTX968
Diodes Incorporated
ZTX618
Diodes Incorporated
ZTX851
Diodes Incorporated
ZTX857
Diodes Incorporated
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel