maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / ZTX849STZ
Référence fabricant | ZTX849STZ |
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Numéro de pièce future | FT-ZTX849STZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ZTX849STZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 5A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 200mA, 5A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 50nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 1V |
Puissance - Max | 1.2W |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | E-Line-3, Formed Leads |
Package d'appareils du fournisseur | E-Line (TO-92 compatible) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZTX849STZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZTX849STZ-FT |
KSC2330OTA
ON Semiconductor
BC32740BU
ON Semiconductor
ZTX690B
Diodes Incorporated
KSC945CGBU
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BC33740BU
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ZTX692B
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ZTX558
Diodes Incorporated
SS8550CBU
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XA7A100T-1FGG484I
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A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
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EP3SE110F1152C2N
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XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
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