maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 24AA64T-E/SM
Référence fabricant | 24AA64T-E/SM |
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Numéro de pièce future | FT-24AA64T-E/SM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
24AA64T-E/SM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | 400kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 900ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
24AA64T-E/SM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 24AA64T-E/SM-FT |
GD25Q32CTJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE16CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE16CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE16CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE20CSIG
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GD25VE20CSIGR
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GD25VE20CTIG
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