maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / GD25VE16CTIGR
Référence fabricant | GD25VE16CTIGR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GD25VE16CTIGR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GD25VE16CTIGR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 16Mb (2M x 8) |
Fréquence d'horloge | 104MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O |
Tension - Alimentation | 2.1V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25VE16CTIGR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GD25VE16CTIGR-FT |
W25Q64FWSTIG TR
Winbond Electronics
W25Q80DLSNIG
Winbond Electronics
W25Q80DVSVIG
Winbond Electronics
W25Q80DVSVIG TR
Winbond Electronics
W25Q80EWSNIG TR
Winbond Electronics
W25Q80EWSVIG
Winbond Electronics
W25Q80EWSVIG TR
Winbond Electronics
W25X05CLSNIG
Winbond Electronics
W25X05CLSNIG TR
Winbond Electronics
W25X10CLSNIG
Winbond Electronics
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel