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Référence fabricant | 24AA512T-I/SM |
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Numéro de pièce future | FT-24AA512T-I/SM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
24AA512T-I/SM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 512Kb (64K x 8) |
Fréquence d'horloge | 400kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 900ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
24AA512T-I/SM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 24AA512T-I/SM-FT |
IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
24LC256T-I/SM
Microchip Technology
25LC1024T-I/SM
Microchip Technology
GD25D05CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD05CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel