maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / GD25D10CTIG
Référence fabricant | GD25D10CTIG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GD25D10CTIG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GD25D10CTIG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 50µs, 4ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Dual I/O |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25D10CTIG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GD25D10CTIG-FT |
IS25LQ020B-JBLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25LQ020B-JNLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25LQ025B-JBLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25LQ025B-JBLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25LQ025B-JNLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25LQ032B-JBLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25LQ032B-JNLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25LQ040B-JBLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25LQ040B-JNLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25LQ512B-JBLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel