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Référence fabricant | 20ETF12 |
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Numéro de pièce future | FT-20ETF12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
20ETF12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.31V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 400ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
20ETF12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 20ETF12-FT |
UG15JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG5HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG5HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG5JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG5JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel