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Référence fabricant | UG5JT-E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-UG5JT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UG5JT-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.75V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG5JT-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UG5JT-E3/45-FT |
FES8GT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES8HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES8HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES8JT-13HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES8JT-5410HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES8JT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES8JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESE16AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESE16BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel