maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N8175
Référence fabricant | 1N8175 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-1N8175 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
1N8175 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N8175 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N8175-FT |
1N6121US
Microsemi Corporation
1N6122US
Microsemi Corporation
1N6123US
Microsemi Corporation
1N6124US
Microsemi Corporation
1N6125US
Microsemi Corporation
1N6126US
Microsemi Corporation
1N6127US
Microsemi Corporation
1N6128US
Microsemi Corporation
1N6129US
Microsemi Corporation
1N6130US
Microsemi Corporation
XC7A35T-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXMA9N1F45C2LN
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5SGXEA7K3F35C2LN
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A1020B-2PL44C
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XC4VLX25-10SFG363C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8N
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EP1S80F1020C7N
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