maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6123US
Référence fabricant | 1N6123US |
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Numéro de pièce future | FT-1N6123US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
1N6123US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6123US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6123US-FT |
1N5631
Microsemi Corporation
1N5632
Microsemi Corporation
1N5632A
Microsemi Corporation
1N5633
Microsemi Corporation
1N5633A
Microsemi Corporation
1N5634
Microsemi Corporation
1N5634A
Microsemi Corporation
1N5635
Microsemi Corporation
1N5635A
Microsemi Corporation
1N5636
Microsemi Corporation
A54SX08A-TQG144A
Microsemi Corporation
XC6SLX25-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
10M25DCF256C7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
XC7K70T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2N
Intel