maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N6662US
Référence fabricant | 1N6662US |
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Numéro de pièce future | FT-1N6662US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
1N6662US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | - |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6662US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6662US-FT |
JAN1N5553
Microsemi Corporation
JAN1N5553US
Microsemi Corporation
JAN1N5554
Microsemi Corporation
JAN1N5615
Microsemi Corporation
JAN1N5616US
Microsemi Corporation
JAN1N5617US
Microsemi Corporation
JAN1N5618
Microsemi Corporation
JAN1N5619US
Microsemi Corporation
JAN1N5620US
Microsemi Corporation
JAN1N5621
Microsemi Corporation
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel