Référence fabricant | 1N6620 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6620 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6620 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 220V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 1.2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 220V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | A, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6620 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6620-FT |
APT15D30KG
Microsemi Corporation
APT15D40KG
Microsemi Corporation
APT15S20KG
Microsemi Corporation
APT20SCD65K
Microsemi Corporation
MS1645
Microsemi Corporation
JANTX1N5615
Microsemi Corporation
JANS1N5806
Microsemi Corporation
JANTX1N5617
Microsemi Corporation
JANS1N5615
Microsemi Corporation
JANTXV1N6622
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel