maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6169A
Référence fabricant | 1N6169A |
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Numéro de pièce future | FT-1N6169A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6169A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 98.8V |
Tension - Panne (Min) | 123.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 178.8V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 8.4A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6169A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6169A-FT |
JAN1N6140A
Microsemi Corporation
JAN1N6141A
Microsemi Corporation
JAN1N6142A
Microsemi Corporation
JAN1N6143A
Microsemi Corporation
JAN1N6144A
Microsemi Corporation
JAN1N6145A
Microsemi Corporation
JAN1N6147A
Microsemi Corporation
JAN1N6148A
Microsemi Corporation
JAN1N6149A
Microsemi Corporation
JAN1N6150A
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FTG256I
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XC6SLX150-2FG484C
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XC7A200T-2SB484I
Xilinx Inc.
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10AX115N1F40I2SGES
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