maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6119AUS/TR
Référence fabricant | 1N6119AUS/TR |
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Numéro de pièce future | FT-1N6119AUS/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6119AUS/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 27.4V |
Tension - Panne (Min) | 34.2V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 49.9V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 10A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6119AUS/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6119AUS/TR-FT |
JAN1N6150A
Microsemi Corporation
JAN1N6151A
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JAN1N6152A
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JAN1N6153A
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JAN1N6154A
Microsemi Corporation
JAN1N6155A
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JAN1N6156A
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JAN1N6157A
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JAN1N6158A
Microsemi Corporation
JAN1N6159A
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
Intel
EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation