maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N5822HA0G
Référence fabricant | 1N5822HA0G |
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Numéro de pièce future | FT-1N5822HA0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
1N5822HA0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 525mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 40V |
Capacité @ Vr, F | 200pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5822HA0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5822HA0G-FT |
UG56G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG56GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG58G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG58GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5820 A0G
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1N5822 A0G
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FR304G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR307G A0G
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Taiwan Semiconductor Corporation
SK12H45 A0G
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XC4005XL-3PQ100C
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Xilinx Inc.
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A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
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EP4CE115F23C9L
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EP3SE80F1152C3
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XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel