maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / 1N5767
Référence fabricant | 1N5767 |
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Numéro de pièce future | FT-1N5767 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5767 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.4pF @ 50V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 2.5 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5767 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5767-FT |
UPP9401E3/TR7
Microsemi Corporation
BAT17,215
Nexperia USA Inc.
PMBD353,215
Nexperia USA Inc.
PMBD354,215
Nexperia USA Inc.
BAT17,235
Nexperia USA Inc.
PMBD353,235
Nexperia USA Inc.
1PS76SB17,115
Nexperia USA Inc.
UM9604
Microsemi Corporation
MSWSE-010-15S
M/A-Com Technology Solutions
MADP-011104-TR3000
M/A-Com Technology Solutions
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XCKU035-L1FBVA900I
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EP3C16F484I7
Intel
EP1S20F484C7
Intel
LFXP3C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SG
Intel
10AX090N3F40E2SG
Intel
5AGXBB1D4F31C4N
Intel