maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / 1N5719
Référence fabricant | 1N5719 |
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Numéro de pièce future | FT-1N5719 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5719 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 150V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.3pF @ 100V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1.25 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5719 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5719-FT |
UPP9401/TR7
Microsemi Corporation
UPP9401E3/TR7
Microsemi Corporation
BAT17,215
Nexperia USA Inc.
PMBD353,215
Nexperia USA Inc.
PMBD354,215
Nexperia USA Inc.
BAT17,235
Nexperia USA Inc.
PMBD353,235
Nexperia USA Inc.
1PS76SB17,115
Nexperia USA Inc.
UM9604
Microsemi Corporation
MSWSE-010-15S
M/A-Com Technology Solutions
M7A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10M16DAF256I7G
Intel
5SGXMA7N1F40C1N
Intel
5SGXEA5H2F35I2L
Intel
XC7K410T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel
EP2S130F1020I4N
Intel