Référence fabricant | 1N5331 |
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Numéro de pièce future | FT-1N5331 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5331 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 22A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 30A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-4 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 200°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5331 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5331-FT |
MS105E3/TR12
Microsemi Corporation
MS105E3/TR8
Microsemi Corporation
MS106/TR12
Microsemi Corporation
MS106/TR8
Microsemi Corporation
MS106E3/TR12
Microsemi Corporation
MS106E3/TR8
Microsemi Corporation
MS108/TR12
Microsemi Corporation
MS108/TR8
Microsemi Corporation
MS108E3/TR12
Microsemi Corporation
MS108E3/TR8
Microsemi Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
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AFS250-FGG256
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AGLN125V5-VQ100I
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5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
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10AX057K3F35E2LG
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EP1S40F780I6
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EP1SGX40GF1020C6
Intel