Référence fabricant | 1N3595 |
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Numéro de pièce future | FT-1N3595 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N3595 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 3µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1nA @ 125V |
Capacité @ Vr, F | 8pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3595 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N3595-FT |
BAS3010B03WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT60BE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS2103WE6433HTMA1
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BAT 60B E6433
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BAS 16-02W E6327
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BAS 70-02W E6327
Infineon Technologies
BAS1602WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7002WH6327XTSA1
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BAT 64-02W E6327
Infineon Technologies
BAT6402WH6327XTSA1
Infineon Technologies
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
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EP2AGX95EF35C6ES
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