maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N3595-1E3
Référence fabricant | 1N3595-1E3 |
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Numéro de pièce future | FT-1N3595-1E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N3595-1E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 125V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 3µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1nA @ 125V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 (DO-204AH) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3595-1E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N3595-1E3-FT |
ND350N16KHPSA1
Infineon Technologies
ND89N12KHPSA1
Infineon Technologies
ND89N16KHPSA1
Infineon Technologies
NGTD15R65F2SWK
ON Semiconductor
PMEG3010AESAYL
Nexperia USA Inc.
RS2DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB250S-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation
5CGXBC9E7F31C8N
Intel
EP2AGX45CU17C5
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel