Référence fabricant | 1N3295 |
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Numéro de pièce future | FT-1N3295 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
1N3295 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | - |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3295 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N3295-FT |
5820SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5820SMJ/TR13
Microsemi Corporation
5820SMJE3/TR13
Microsemi Corporation
5821SMG/TR13
Microsemi Corporation
5821SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5822SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
JAN1N5806URS
Microsemi Corporation
JAN1N7039CCU1
Microsemi Corporation
TSS0340L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS40L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel