maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N5806URS
Référence fabricant | JAN1N5806URS |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N5806URS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JAN1N5806URS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 875mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, A |
Package d'appareils du fournisseur | A-MELF |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5806URS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N5806URS-FT |
HSM340GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM340J/TR13
Microsemi Corporation
HSM340JE3/TR13
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HSM350G/TR13
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HSM350GE3/TR13
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HSM360G/TR13
Microsemi Corporation
HSM360GE3/TR13
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HSM380G/TR13
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HSM380GE3/TR13
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HSM390G/TR13
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LCMXO2-4000ZE-3TG144C
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XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
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EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
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A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel