Référence fabricant | 1N1190 |
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Numéro de pièce future | FT-1N1190 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N1190 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 35A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 35A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AB, DO-5, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-5 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 190°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1190 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N1190-FT |
GB02SHT03-46
GeneSiC Semiconductor
GB02SHT01-46
GeneSiC Semiconductor
GB01SLT12-252
GeneSiC Semiconductor
GB01SLT12-220
GeneSiC Semiconductor
GB02SLT12-220
GeneSiC Semiconductor
GB05SLT12-220
GeneSiC Semiconductor
GB10SLT12-220
GeneSiC Semiconductor
GAP3SLT33-220FP
GeneSiC Semiconductor
GAP05SLT80-220
GeneSiC Semiconductor
FR85GR02
GeneSiC Semiconductor
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation