Référence fabricant | 1N1190 |
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Numéro de pièce future | FT-1N1190 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N1190 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 35A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 35A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AB, DO-5, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-5 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 190°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1190 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N1190-FT |
GB02SHT03-46
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GB02SHT01-46
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GB01SLT12-252
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GB01SLT12-220
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GB02SLT12-220
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GB05SLT12-220
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GB10SLT12-220
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GAP3SLT33-220FP
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GAP05SLT80-220
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FR85GR02
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XCS20XL-4TQG144I
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XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
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AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation