maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / 1229AS-H-2R0M=P3
Référence fabricant | 1229AS-H-2R0M=P3 |
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Numéro de pièce future | FT-1229AS-H-2R0M=P3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1229AS-H-2R0M=P3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.7A |
Courant - Saturation | 1.5A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 88 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.146" L x 0.154" W (3.70mm x 3.90mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1229AS-H-2R0M=P3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1229AS-H-2R0M=P3-FT |
DFEH12060D-5R6M=P3
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DFEH12060D-6R8M=P3
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XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
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5AGXBA5D4F35I5N
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EP2S180F1508C4N
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