maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / DFEH12060D-8R2M=P3
Référence fabricant | DFEH12060D-8R2M=P3 |
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Numéro de pièce future | FT-DFEH12060D-8R2M=P3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DFEH12060D |
DFEH12060D-8R2M=P3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 8.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 8A |
Courant - Saturation | 11A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 17 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 155°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.512" L x 0.496" W (13.00mm x 12.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.236" (6.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFEH12060D-8R2M=P3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DFEH12060D-8R2M=P3-FT |
FDSD0518-H-3R3M=P3
Murata Electronics North America
FDSD0512-H-1R0M=P3
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A1415A-PQ100C
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XC7A25T-2CSG325I
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LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
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5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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