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Référence fabricant | 1130-4R7M-RC |
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Numéro de pièce future | FT-1130-4R7M-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 1130 |
1130-4R7M-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 21A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 1.100" Dia (27.94mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.840" (21.34mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1130-4R7M-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1130-4R7M-RC-FT |
1140-270K-RC
Bourns Inc.
1140-5R6M-RC
Bourns Inc.
1140-6R8M-RC
Bourns Inc.
1140-123K-RC
Bourns Inc.
1140-152K-RC
Bourns Inc.
1140-182K-RC
Bourns Inc.
1140-2R2M-RC
Bourns Inc.
1140-2R7M-RC
Bourns Inc.
1140-561K-RC
Bourns Inc.
1140-562K-RC
Bourns Inc.
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEABN2F45C2LN
Intel
XC4006E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8820ARC208-2
Intel
EP1S40F1020C6
Intel