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Référence fabricant | 1110-221K-RC |
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Numéro de pièce future | FT-1110-221K-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 1110 |
1110-221K-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 220µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 1.6A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 240 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.660" Dia (16.76mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.840" (21.34mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-221K-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1110-221K-RC-FT |
1130-122K
Bourns Inc.
1130-150K
Bourns Inc.
1130-151K
Bourns Inc.
1130-152K
Bourns Inc.
1130-180K
Bourns Inc.
1130-181K
Bourns Inc.
1130-182K
Bourns Inc.
1130-1R0M
Bourns Inc.
1130-1R2M
Bourns Inc.
1130-1R5M
Bourns Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel