maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / 1130-1R2M
Référence fabricant | 1130-1R2M |
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Numéro de pièce future | FT-1130-1R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 1130 |
1130-1R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 21A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 1.100" Dia (27.94mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.840" (21.34mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1130-1R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1130-1R2M-FT |
1140-121K
Bourns Inc.
1140-122K
Bourns Inc.
1140-123K
Bourns Inc.
1140-150K
Bourns Inc.
1140-151K
Bourns Inc.
1140-152K
Bourns Inc.
1140-153K
Bourns Inc.
1140-180K
Bourns Inc.
1140-181K
Bourns Inc.
1140-181K-RC
Bourns Inc.
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
Intel
5SGXMB6R2F43I3LN
Intel
EP4SE530H40C3N
Intel
LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP4CE55F29I7
Intel
EPF10K100EQC208-2X
Intel