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Référence fabricant | 10ETF02FP |
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Numéro de pièce future | FT-10ETF02FP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
10ETF02FP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 145ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC Full Pack |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
10ETF02FP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 10ETF02FP-FT |
VS-40EPF12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15PB60PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS16-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08PB120PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU6006-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16PB120PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel