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Référence fabricant | VS-60EPS16-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-60EPS16-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-60EPS16-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 60A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AC Modified |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-60EPS16-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-60EPS16-M3-FT |
VS-8ETH06-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETL06-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH3006-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETL1506-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETL1506-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
Intel
EP3SL150F780I4
Intel
EP1C4F324I7N
Intel