maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / ZXTP2012A
Référence fabricant | ZXTP2012A |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-ZXTP2012A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ZXTP2012A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 3.5A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 210mV @ 400mA, 4A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 20nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 1V |
Puissance - Max | 1W |
Fréquence - Transition | 120MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXTP2012A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZXTP2012A-FT |
FMMT497TC
Diodes Incorporated
FMMT549ATC
Diodes Incorporated
FMMT549TC
Diodes Incorporated
FMMT551TC
Diodes Incorporated
FMMT558TC
Diodes Incorporated
FMMT589TC
Diodes Incorporated
FMMT591TC
Diodes Incorporated
FMMT596TC
Diodes Incorporated
FMMT597TC
Diodes Incorporated
FMMT618TC
Diodes Incorporated
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel