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Diodes Incorporated ZXMNS3BM832TA

Name: ZXMNS3BM832TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMNS3BM832TA
Availability: InStock
Rating: 4.6 (173 reviews)

Numéro de pièce MFG: ZXMNS3BM832TA

quantité disponible: 94460 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: ZXMNS3BM832TA.pdf

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ZXMNS3BM832TA Caractéristiques

Référence fabricant	ZXMNS3BM832TA
Numéro de pièce future	FT-ZXMNS3BM832TA
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
ZXMNS3BM832TA Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.9nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	314pF @ 15V
Caractéristique FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-MLP, MicroFET (3x2)
Paquet / caisse	8-VDFN Exposed Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMNS3BM832TA Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	ZXMNS3BM832TA-FT

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