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Diodes Incorporated ZXMN6A08E6TC

Name: ZXMN6A08E6TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A08E6TC
Availability: InStock
Rating: 5.0 (503 reviews)

Numéro de pièce MFG: ZXMN6A08E6TC

quantité disponible: 58740 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: ZXMN6A08E6TC.pdf

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ZXMN6A08E6TC Caractéristiques

Référence fabricant	ZXMN6A08E6TC
Numéro de pièce future	FT-ZXMN6A08E6TC
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
ZXMN6A08E6TC Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	459pF @ 40V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-26
Paquet / caisse	SOT-23-6
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN6A08E6TC Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	ZXMN6A08E6TC-FT

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