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Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8TA

Name: ZXMN3A06DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN3A06DN8TA
Price: 0.60456 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (573 reviews)

Numéro de pièce MFG: ZXMN3A06DN8TA

quantité disponible: 66310 Pièces

Prix de référence: USD 0.60456

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: ZXMN3A06DN8TA.pdf

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ZXMN3A06DN8TA Caractéristiques

Référence fabricant	ZXMN3A06DN8TA
Numéro de pièce future	FT-ZXMN3A06DN8TA
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
ZXMN3A06DN8TA Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	796pF @ 25V
Puissance - Max	1.8W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur	8-SOP
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN3A06DN8TA Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	ZXMN3A06DN8TA-FT

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